O FR120N é um MOSFET de potência de canal N HEXFET® de quinta geração
7,26 €
Com IVA
Resumo do Produto
O FR120N é um MOSFET de potência de canal N HEXFET® de quinta geração que usa técnicas de processamento avançadas para atingir resistência ON extremamente baixa por área de silício. Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e design de dispositivo robusto, fornece um dispositivo extremamente eficiente para uso em uma ampla variedade de aplicações. O pacote é projetado para montagem em superfície usando técnicas de fase de vapor, infravermelho ou onda de solda. O nível de dissipação de energia de 1,5 W é possível em uma aplicação típica de montagem em superfície.
Política de segurança (edite com o módulo Segurança e informações de confiança para o cliente)
O objetivo das políticas de segurança de computador é fornecer a todos os funcionários da empresa, bem como aos usuários que acessam seus ativos de tecnologia e informações, os requisitos e as diretrizes de ação necessárias para protegê-los. Essas polític
Política de envío (editar con el módulo Información de seguridad y confianza para el cliente)
Todos sabemos que o comércio eletrônico é um setor em crescimento na economia espanhola. A facilidade de aquisição de todos os tipos de produtos pela rede ou por dispositivos móveis está aumentando o número de vendas. E a ampla oferta permite que cada vez
Política de devolução (edite com o módulo Informações de segurança e confiança para o cliente)
Nada contido nesta política de devolução afetará seus direitos legais, aos quais é adicionado o direito de rescisão.
Resumo do Produto
O FR120N é um MOSFET de potência de canal N HEXFET® de quinta geração que usa técnicas de processamento avançadas para atingir resistência ON extremamente baixa por área de silício. Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e design de dispositivo robusto, fornece um dispositivo extremamente eficiente para uso em uma ampla variedade de aplicações. O pacote é projetado para montagem em superfície usando técnicas de fase de vapor, infravermelho ou onda de solda. O nível de dissipação de energia de 1,5 W é possível em uma aplicação típica de montagem em superfície.
Tecnologia de processo avançada
Avaliação total de avalanche
Baixa resistência de drenagem estática para fonte LIGADA
Classificação dinâmica dV / dt
Formulários
Gerenciamento de energia
Avisos
A demanda de mercado por este produto estendeu os tempos de fabricação, portanto, as datas de entrega podem oscilar
FR120N
198 Itens
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O FR120N é um MOSFET de potência de canal N HEXFET® de quinta geração que usa técnicas de processamento avançadas para atingir resistência ON extremamente baixa por área de silício. Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e design de dispositivo robusto, fornece um dispositivo extremamente eficiente para uso em uma ampla variedade de aplicações. O pacote é projetado para montagem em superfície usando técnicas de fase de vapor, infravermelho ou onda de solda. O nível de dissipação de energia de 1,5 W é possível em uma aplicação típica de montagem em superfície.