El ULN2003 és un circuit integrat molt versàtil, compost internament per 7 drivers idèntics

El ULN2003 és un circuit integrat molt versàtil, compost internament per 7 drivers idèntics

El ULN2003 és un circuit integrat molt versàtil, compost internament per 7 drivers idèntics i independents entre si, que permeten comandar amb un microcontrolador relés, petits motors DC, motors pas a pas, llums de baixa tensió o tires de leds.

Cada driver està constituït per dos transistors en configuració Darlington. La configuració Darlington, ideada per Sidney Darlington nel 1953, consisteix a connectar dos transistors bipolars en cascada obtenint així, un guany elevadíssim perquè es multiplica el guany de cadascun dels dos transistors. Gràcies a això podem controlar càrregues d'una certa potència amb corrents d'entrada molt petits.

N2003 és un circuit integrat molt versàtil, compost internament per 7 drivers idèntics i independents entre si, que permeten comandar amb un microcontrolador relés, petits motors DC, motors pas a pas, llums de baixa tensió o tires de leds.


Cada driver està constituït per dos transistors en configuració Darlington. La configuració Darlington, ideada per Sidney Darlington nel 1953, consisteix a connectar dos transistors bipolars en cascada obtenint així, un guany elevadíssim perquè es multiplica el guany de cadascun dels dos transistors. Gràcies a això podem controlar càrregues d'una certa potència amb corrents d'entrada molt petits.

La configuració Darlington no és exempta de defectes com veurem a continuació. Un transistor NPN d'ús universal comença a conduir quan apliquem a la base una tensió d'aproximadament 0,6V. Si hi apliquem un petit corrent podem portar-lo a la saturació, amb una tensió entre col·lector i emissor (VCE) molt baixa, per exemple, en el cas de BC337, entre 0,2V i 0,5V (per obtenir un interruptor perfecte hauria de ésser de 0V).

En un parell Darlington, la tensió d'entrada serà el doble respecte als 0,6V perquè se sumen les tensions de base dels dos transistors com podem veure a la figura. També serà més gran la caiguda de tensió al transistor de sortida perquè serà la suma de la tensió de saturació del primer transistor + la tensió de base-emissor del transistor de sortida.