L'IRFD120PBF és un MOSFET de potència de canal N de 100 V
2,42 €
Impostos inclosos
L'IRFD120PBF és un MOSFET de potència de canal N de 100 V
Resum del producte
L'IRFD120PBF és un MOSFET de potència de canal N de 100 V, el MOSFET de potència HEXFET® de tercera generació proporciona al dissenyador la millor combinació de commutació ràpida, disseny de dispositiu resistent i baixa resistència. El paquet és un estil de caixa inserible en màquina que es pot apilar en múltiples combinacions a centres de clavilles estàndard de 0.1 polzada. El drenatge doble serveix com un enllaç tèrmic a la superfície de muntatge per a nivells de dissipació de potència de fins a 1W.
Qualificació dinàmica dV/dt
Allau repetitiu classificat
175 ° C temperatura de funcionament
Fàcil de paral·lelar
Requisit de maneig simple
Per inserció automàtica
Fi apilable
Política de seguretat (editar amb el mòdul Informació de seguretat i confiança per al client)
L'objectiu de les polítiques de seguretat informàtica és proporcionar a tot el personal d'una empresa també com als usuaris que accedeixen als seus actius de tecnologia i informació dels requisits i pautes d'actuació necessaris per a protegir-los. Així ma
Política d'enviament (editar amb el mòdul Informació de seguretat i confiança per al client)
Tots sabem que el comerç electrònic és un sector en creixement dins de l'economia espanyola. La facilitat per adquirir tot tipus de productes a través de la xarxa o de dispositius mòbils està fent que s'incrementin el nombre de vendes. I l'oferta tan àmpl
Política de devolució (editar amb el mòdul Informació de seguretat i confiança per al client)
Res de tot el que es recull en la present política de devolucions afectarà els seus drets legals, als quals s'afegeix el dret de desistiment.
L'IRFD120PBF és un MOSFET de potència de canal N de 100 V
Resum del producte
L'IRFD120PBF és un MOSFET de potència de canal N de 100 V, el MOSFET de potència HEXFET® de tercera generació proporciona al dissenyador la millor combinació de commutació ràpida, disseny de dispositiu resistent i baixa resistència. El paquet és un estil de caixa inserible en màquina que es pot apilar en múltiples combinacions a centres de clavilles estàndard de 0.1 polzada. El drenatge doble serveix com un enllaç tèrmic a la superfície de muntatge per a nivells de dissipació de potència de fins a 1W.
Qualificació dinàmica dV/dt
Allau repetitiu classificat
175 ° C temperatura de funcionament
Fàcil de paral·lelar
Requisit de maneig simple
Per inserció automàtica
Fi apilable
Aplicacions
Administració de Potència
IRFD120PBF
8 Elements
L'IRFD120PBF és un MOSFET de potència de canal N de 100 V
Resum del producte
L'IRFD120PBF és un MOSFET de potència de canal N de 100 V, el MOSFET de potència HEXFET® de tercera generació proporciona al dissenyador la millor combinació de commutació ràpida, disseny de dispositiu resistent i baixa resistència. El paquet és un estil de caixa inserible en màquina que es pot apilar en múltiples combinacions a centres de clavilles estàndard de 0.1 polzada. El drenatge doble serveix com un enllaç tèrmic a la superfície de muntatge per a nivells de dissipació de potència de fins a 1W.
Qualificació dinàmica dV/dt
Allau repetitiu classificat
175 ° C temperatura de funcionament
Fàcil de paral·lelar
Requisit de maneig simple
Per inserció automàtica
Fi apilable