El FR120N és un MOSFET de potència de canal N de cinquena generació HEXFET® que utilitza tècniques de processament
7,26 €
Impostos inclosos
Resum del producte
El FR120N és un MOSFET de potència de canal N de cinquena generació HEXFET® que utilitza tècniques de processament avançades per aconseguir una resistència de ENCESA extremadament baixa per àrea de silici. Aquest benefici, combinat amb la velocitat de commutació ràpida i el disseny robust de el dispositiu, proporciona un dispositiu extremadament eficient per a usar en una àmplia varietat d'aplicacions. El paquet està dissenyat per a muntatge en superfície utilitzant tècniques de fase de vapor, infrarojos o ones de soldadura. El nivell de dissipació de potència de 1.5W és possible en una aplicació típica de muntatge en superfície.
Política de seguretat (editar amb el mòdul Informació de seguretat i confiança per al client)
L'objectiu de les polítiques de seguretat informàtica és proporcionar a tot el personal d'una empresa també com als usuaris que accedeixen als seus actius de tecnologia i informació dels requisits i pautes d'actuació necessaris per a protegir-los. Així ma
Política d'enviament (editar amb el mòdul Informació de seguretat i confiança per al client)
Tots sabem que el comerç electrònic és un sector en creixement dins de l'economia espanyola. La facilitat per adquirir tot tipus de productes a través de la xarxa o de dispositius mòbils està fent que s'incrementin el nombre de vendes. I l'oferta tan àmpl
Política de devolució (editar amb el mòdul Informació de seguretat i confiança per al client)
Res de tot el que es recull en la present política de devolucions afectarà els seus drets legals, als quals s'afegeix el dret de desistiment.
Resum del producte
El FR120N és un MOSFET de potència de canal N de cinquena generació HEXFET® que utilitza tècniques de processament avançades per aconseguir una resistència de ENCESA extremadament baixa per àrea de silici. Aquest benefici, combinat amb la velocitat de commutació ràpida i el disseny robust de el dispositiu, proporciona un dispositiu extremadament eficient per a usar en una àmplia varietat d'aplicacions. El paquet està dissenyat per a muntatge en superfície utilitzant tècniques de fase de vapor, infrarojos o ones de soldadura. El nivell de dissipació de potència de 1.5W és possible en una aplicació típica de muntatge en superfície.
Tecnologia de procés avançada
Qualificació d'allau completa
Baixa resistència estàtica de drenatge a la font ON
Qualificació dinàmica dV / dt
aplicacions
Administració de Potència
advertències
La demanda d'aquest producte en el mercat ha estès els terminis de fabricació, de manera que les dates de lliurament poden fluctuar
FR120N
198 Elements
Resum del producte
El FR120N és un MOSFET de potència de canal N de cinquena generació HEXFET® que utilitza tècniques de processament avançades per aconseguir una resistència de ENCESA extremadament baixa per àrea de silici. Aquest benefici, combinat amb la velocitat de commutació ràpida i el disseny robust de el dispositiu, proporciona un dispositiu extremadament eficient per a usar en una àmplia varietat d'aplicacions. El paquet està dissenyat per a muntatge en superfície utilitzant tècniques de fase de vapor, infrarojos o ones de soldadura. El nivell de dissipació de potència de 1.5W és possible en una aplicació típica de muntatge en superfície.