Der IRFD120PBF ist ein 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
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Bruttopreis
Der IRFD120PBF ist ein 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
Produktübersicht
Der IRFD120PBF ist ein 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der HEXFET®-Leistungs-MOSFET der 3. Generation bietet dem Designer die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign und geringem Widerstand. Das Paket ist eine maschinell einsetzbare Box, die in mehreren Kombinationen auf standardmäßigen 0,1-Zoll-Stiftzentren gestapelt werden kann. Der Dual-Drain dient als thermische Verbindung zur Montagefläche für Verlustleistungen bis 1W.
Dynamische Bewertung dV / dt
Klassifizierte sich wiederholende Lawine
175 °C Betriebstemperatur
Einfach parallel
Einfache Handhabungsanforderung
Zum automatischen Einfügen
Stapelbares Ende
Anwendungen
Energieverwaltung
Sicherheitsrichtlinie (mit dem Modul Sicherheits- und Vertrauensinformationen für den Client bearbeiten)
Ziel der Computersicherheitsrichtlinien ist es, allen Mitarbeitern des Unternehmens sowie den Benutzern, die auf seine Technologie- und Informationsressourcen zugreifen, die Anforderungen und Richtlinien für Maßnahmen zu geben, die zum Schutz dieser Unter
Versandrichtlinien (mit dem Modul Sicherheits- und Vertrauensinformationen für den Kunden bearbeiten)
Wir alle wissen, dass der elektronische Geschäftsverkehr ein wachsender Sektor in der spanischen Wirtschaft ist. Die einfache Möglichkeit, alle Arten von Produkten über das Netzwerk oder mobile Geräte zu erwerben, erhöht die Anzahl der Verkäufe. Und das b
Rückgaberecht (mit dem Modul Sicherheits- und Vertrauensinformationen für den Kunden bearbeiten)
Nichts, was in diesem Rückgaberecht enthalten ist, beeinträchtigt Ihre gesetzlichen Rechte, zu denen das Widerrufsrecht hinzugefügt wird.
Der IRFD120PBF ist ein 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
Produktübersicht
Der IRFD120PBF ist ein 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der HEXFET®-Leistungs-MOSFET der 3. Generation bietet dem Designer die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign und geringem Widerstand. Das Paket ist eine maschinell einsetzbare Box, die in mehreren Kombinationen auf standardmäßigen 0,1-Zoll-Stiftzentren gestapelt werden kann. Der Dual-Drain dient als thermische Verbindung zur Montagefläche für Verlustleistungen bis 1W.
Dynamische Bewertung dV / dt
Klassifizierte sich wiederholende Lawine
175 °C Betriebstemperatur
Einfach parallel
Einfache Handhabungsanforderung
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Stapelbares Ende
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Energieverwaltung
IRFD120PBF
8 Artikel
Der IRFD120PBF ist ein 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
Produktübersicht
Der IRFD120PBF ist ein 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der HEXFET®-Leistungs-MOSFET der 3. Generation bietet dem Designer die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign und geringem Widerstand. Das Paket ist eine maschinell einsetzbare Box, die in mehreren Kombinationen auf standardmäßigen 0,1-Zoll-Stiftzentren gestapelt werden kann. Der Dual-Drain dient als thermische Verbindung zur Montagefläche für Verlustleistungen bis 1W.
Dynamische Bewertung dV / dt
Klassifizierte sich wiederholende Lawine
175 °C Betriebstemperatur
Einfach parallel
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Zum automatischen Einfügen
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