Der FR120N ist ein HEXFET® N-Kanal-Leistungs-MOSFET der fünften Generation
7,26 €
Bruttopreis
Produktübersicht
Der FR120N ist ein HEXFET® N-Kanal-Leistungs-MOSFET der fünften Generation, der fortschrittliche Verarbeitungstechniken verwendet, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erzielen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, bietet ein äußerst effizientes Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das Gehäuse ist für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Lötwellentechniken ausgelegt. Die Verlustleistung von 1,5 W ist in einer typischen oberflächenmontierten Anwendung möglich.
Fortschrittliche Prozesstechnologie
Volle Lawinenbewertung
Geringer statischer Drain-Widerstand gegen ON-Source
Sicherheitsrichtlinie (mit dem Modul Sicherheits- und Vertrauensinformationen für den Client bearbeiten)
Ziel der Computersicherheitsrichtlinien ist es, allen Mitarbeitern des Unternehmens sowie den Benutzern, die auf seine Technologie- und Informationsressourcen zugreifen, die Anforderungen und Richtlinien für Maßnahmen zu geben, die zum Schutz dieser Unter
Versandrichtlinien (mit dem Modul Sicherheits- und Vertrauensinformationen für den Kunden bearbeiten)
Wir alle wissen, dass der elektronische Geschäftsverkehr ein wachsender Sektor in der spanischen Wirtschaft ist. Die einfache Möglichkeit, alle Arten von Produkten über das Netzwerk oder mobile Geräte zu erwerben, erhöht die Anzahl der Verkäufe. Und das b
Rückgaberecht (mit dem Modul Sicherheits- und Vertrauensinformationen für den Kunden bearbeiten)
Nichts, was in diesem Rückgaberecht enthalten ist, beeinträchtigt Ihre gesetzlichen Rechte, zu denen das Widerrufsrecht hinzugefügt wird.
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Der FR120N ist ein HEXFET® N-Kanal-Leistungs-MOSFET der fünften Generation, der fortschrittliche Verarbeitungstechniken verwendet, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erzielen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, bietet ein äußerst effizientes Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das Gehäuse ist für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Lötwellentechniken ausgelegt. Die Verlustleistung von 1,5 W ist in einer typischen oberflächenmontierten Anwendung möglich.
Fortschrittliche Prozesstechnologie
Volle Lawinenbewertung
Geringer statischer Drain-Widerstand gegen ON-Source
Dynamische Bewertung dV / dt
Anwendungen
Energieverwaltung
Warnungen
Die Marktnachfrage nach diesem Produkt hat die Herstellungszeiten verlängert, sodass die Liefertermine schwanken können
FR120N
198 Artikel
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Der FR120N ist ein HEXFET® N-Kanal-Leistungs-MOSFET der fünften Generation, der fortschrittliche Verarbeitungstechniken verwendet, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erzielen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, bietet ein äußerst effizientes Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das Gehäuse ist für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Lötwellentechniken ausgelegt. Die Verlustleistung von 1,5 W ist in einer typischen oberflächenmontierten Anwendung möglich.
Fortschrittliche Prozesstechnologie
Volle Lawinenbewertung
Geringer statischer Drain-Widerstand gegen ON-Source