L'IRFD120PBF è un MOSFET di potenza a canale N da 100 V
2,42 €
Tasse incluse
Panoramica del Prodotto
L'IRFD120PBF è un MOSFET di potenza a canale N da 100 V, il MOSFET di potenza HEXFET® di terza generazione offre al progettista la migliore combinazione di commutazione rapida, design del dispositivo robusto e bassa resistenza. Il pacchetto è uno stile di scatola inseribile a macchina che può essere impilato in più combinazioni su centri pin standard da 0,1 pollici. Il dual drain funge da collegamento termico alla superficie di montaggio per livelli di dissipazione di potenza fino a 1W.
Valutazione dinamica dV / dt
Valanga ripetitiva classificata
175 ° C temperatura di esercizio
Facile da mettere in parallelo
Requisito di manipolazione semplice
Per inserimento automatico
Estremità impilabile
Applicazioni
Gestione energetica
Criterio di sicurezza (modificare con il modulo Informazioni su sicurezza e fiducia per il client)
L'obiettivo delle politiche di sicurezza informatica è fornire a tutto il personale aziendale e agli utenti che accedono alle sue risorse tecnologiche e informative i requisiti e le linee guida per le azioni necessarie per proteggerli. Queste politiche so
Politica di spedizione (modifica con il modulo Informazioni su sicurezza e fiducia per il cliente)
Sappiamo tutti che il commercio elettronico è un settore in crescita nell'economia spagnola. La facilità di acquistare tutti i tipi di prodotti attraverso la rete o dispositivi mobili sta aumentando il numero di vendite. E l'ampia offerta consente a sempr
Politica di restituzione (modifica con il modulo Informazioni su sicurezza e fiducia per il cliente)
Nulla di quanto contenuto in questa politica di reso influirà sui tuoi diritti legali, a cui si aggiunge il diritto di recesso.
L'IRFD120PBF è un MOSFET di potenza a canale N da 100 V
Panoramica del Prodotto
L'IRFD120PBF è un MOSFET di potenza a canale N da 100 V, il MOSFET di potenza HEXFET® di terza generazione offre al progettista la migliore combinazione di commutazione rapida, design del dispositivo robusto e bassa resistenza. Il pacchetto è uno stile di scatola inseribile a macchina che può essere impilato in più combinazioni su centri pin standard da 0,1 pollici. Il dual drain funge da collegamento termico alla superficie di montaggio per livelli di dissipazione di potenza fino a 1W.
Valutazione dinamica dV / dt
Valanga ripetitiva classificata
175 ° C temperatura di esercizio
Facile da mettere in parallelo
Requisito di manipolazione semplice
Per inserimento automatico
Estremità impilabile
Applicazioni
Gestione energetica
IRFD120PBF
8 Articoli
Panoramica del Prodotto
L'IRFD120PBF è un MOSFET di potenza a canale N da 100 V, il MOSFET di potenza HEXFET® di terza generazione offre al progettista la migliore combinazione di commutazione rapida, design del dispositivo robusto e bassa resistenza. Il pacchetto è uno stile di scatola inseribile a macchina che può essere impilato in più combinazioni su centri pin standard da 0,1 pollici. Il dual drain funge da collegamento termico alla superficie di montaggio per livelli di dissipazione di potenza fino a 1W.
Valutazione dinamica dV / dt
Valanga ripetitiva classificata
175 ° C temperatura di esercizio
Facile da mettere in parallelo
Requisito di manipolazione semplice
Per inserimento automatico
Estremità impilabile
Applicazioni
Gestione energetica