L'FR120N è un MOSFET di potenza a canale N di quinta generazione HEXFET® che utilizza tecniche
7,26 €
Tasse incluse
Panoramica del Prodotto
L'FR120N è un MOSFET di potenza a canale N di quinta generazione HEXFET® che utilizza tecniche di elaborazione avanzate per ottenere una resistenza ON estremamente bassa per area di silicio. Questo vantaggio, combinato con la velocità di commutazione rapida e il design robusto del dispositivo, fornisce un dispositivo estremamente efficiente da utilizzare in un'ampia varietà di applicazioni. Il pacchetto è progettato per il montaggio su superficie utilizzando tecniche di fase vapore, infrarossi o onde di saldatura. Il livello di dissipazione di potenza di 1,5 W è possibile in una tipica applicazione a montaggio superficiale.
Criterio di sicurezza (modificare con il modulo Informazioni su sicurezza e fiducia per il client)
L'obiettivo delle politiche di sicurezza informatica è fornire a tutto il personale aziendale e agli utenti che accedono alle sue risorse tecnologiche e informative i requisiti e le linee guida per le azioni necessarie per proteggerli. Queste politiche so
Politica di spedizione (modifica con il modulo Informazioni su sicurezza e fiducia per il cliente)
Sappiamo tutti che il commercio elettronico è un settore in crescita nell'economia spagnola. La facilità di acquistare tutti i tipi di prodotti attraverso la rete o dispositivi mobili sta aumentando il numero di vendite. E l'ampia offerta consente a sempr
Politica di restituzione (modifica con il modulo Informazioni su sicurezza e fiducia per il cliente)
Nulla di quanto contenuto in questa politica di reso influirà sui tuoi diritti legali, a cui si aggiunge il diritto di recesso.
Panoramica del Prodotto
L'FR120N è un MOSFET di potenza a canale N di quinta generazione HEXFET® che utilizza tecniche di elaborazione avanzate per ottenere una resistenza ON estremamente bassa per area di silicio. Questo vantaggio, combinato con la velocità di commutazione rapida e il design robusto del dispositivo, fornisce un dispositivo estremamente efficiente da utilizzare in un'ampia varietà di applicazioni. Il pacchetto è progettato per il montaggio su superficie utilizzando tecniche di fase vapore, infrarossi o onde di saldatura. Il livello di dissipazione di potenza di 1,5 W è possibile in una tipica applicazione a montaggio superficiale.
Tecnologia di processo avanzata
Valutazione completa delle valanghe
Bassa resistenza allo scarico statico alla sorgente ON
Valutazione dinamica dV / dt
Applicazioni
Gestione energetica
Avvertenze
La domanda di mercato per questo prodotto ha prolungato i tempi di produzione, quindi le date di consegna possono variare
FR120N
198 Articoli
Panoramica del Prodotto
L'FR120N è un MOSFET di potenza a canale N di quinta generazione HEXFET® che utilizza tecniche di elaborazione avanzate per ottenere una resistenza ON estremamente bassa per area di silicio. Questo vantaggio, combinato con la velocità di commutazione rapida e il design robusto del dispositivo, fornisce un dispositivo estremamente efficiente da utilizzare in un'ampia varietà di applicazioni. Il pacchetto è progettato per il montaggio su superficie utilizzando tecniche di fase vapore, infrarossi o onde di saldatura. Il livello di dissipazione di potenza di 1,5 W è possibile in una tipica applicazione a montaggio superficiale.