FR120N HEXFET® bosgarren belaunaldiko N kanaleko potentzia MOSFET bat da, prozesatzeko teknika aurreratuak
7,26 €
BEZ barne
Produktuen ikuspegi orokorra
FR120N HEXFET® bosgarren belaunaldiko N kanaleko potentzia MOSFET bat da, prozesatzeko teknika aurreratuak erabiltzen ditu silizio eremu bakoitzeko ON erresistentzia oso baxua lortzeko. Abantaila honek, aldatzeko abiadura bizkorrarekin eta gailuen diseinu sendoarekin konbinatuta, oso gailu eraginkorra eskaintzen du aplikazio ugaritan erabiltzeko. Paketea lurrunezko fasean, infragorrien edo soldadurako uhin tekniken bidez muntatzeko diseinatuta dago. 1,5 W potentzia xahutzeko maila posible da gainazaleko muntaketa aplikazio tipiko batean.
Tecnología de proceso avanzada
Calificación de avalancha completa
Baja resistencia estática de drenaje a la fuente ON
Segurtasun politika (editatu bezeroarentzako Segurtasun eta konfiantza informazioa moduluarekin)
Segurtasun informatikoaren gidalerroen xedea da enpresako langile guztiei eta teknologiari eta informazio aktiboetara sartzen diren erabiltzaileei haiek babesteko beharrezkoak diren ekintzetarako eskakizunak eta jarraibideak ematea. Politika hauek ere bal
Bidalketa politika (editatu bezeroarentzako Segurtasun eta Konfiantza Informazio modulua)
Denok dakigu merkataritza elektronikoa Espainiako ekonomiaren barruan hazten ari den sektorea dela. Sarearen edo gailu mugikorren bidez mota guztietako produktuak eskuratzeko erraztasunak salmenta kopurua handitzen ari da. Eta eskaintza zabalari esker, ge
Itzulketa Politika (editatu bezeroarentzako Segurtasun eta Konfiantza Informazio modulua)
Itzultzeko politika honetan jasotako ezer ez da zure legezko eskubideei eragingo eta horiei atzera egiteko eskubidea gehitzen zaie.
Produktuen ikuspegi orokorra
FR120N HEXFET® bosgarren belaunaldiko N kanaleko potentzia MOSFET bat da, prozesatzeko teknika aurreratuak erabiltzen ditu silizio eremu bakoitzeko ON erresistentzia oso baxua lortzeko. Abantaila honek, aldatzeko abiadura bizkorrarekin eta gailuen diseinu sendoarekin konbinatuta, oso gailu eraginkorra eskaintzen du aplikazio ugaritan erabiltzeko. Paketea lurrunezko fasean, infragorrien edo soldadurako uhin tekniken bidez muntatzeko diseinatuta dago. 1,5 W potentzia xahutzeko maila posible da gainazaleko muntaketa aplikazio tipiko batean.
Prozesu teknologia aurreratua
Elur-jausi osoa
ON iturriaren hustubide estatiko baxua
Balorazio dinamikoa dV / dt
Aplikazioak
Energia Kudeaketa
Abisuak
Produktu honen merkatuko eskaerak fabrikazio epeak luzatu ditu, beraz, entrega datak aldatu egin daitezke
FR120N
198 Aleak
Produktuen ikuspegi orokorra
FR120N HEXFET® bosgarren belaunaldiko N kanaleko potentzia MOSFET bat da, prozesatzeko teknika aurreratuak erabiltzen ditu silizio eremu bakoitzeko ON erresistentzia oso baxua lortzeko. Abantaila honek, aldatzeko abiadura bizkorrarekin eta gailuen diseinu sendoarekin konbinatuta, oso gailu eraginkorra eskaintzen du aplikazio ugaritan erabiltzeko. Paketea lurrunezko fasean, infragorrien edo soldadurako uhin tekniken bidez muntatzeko diseinatuta dago. 1,5 W potentzia xahutzeko maila posible da gainazaleko muntaketa aplikazio tipiko batean.
Tecnología de proceso avanzada
Calificación de avalancha completa
Baja resistencia estática de drenaje a la fuente ON