G30N60C3D - IGBT. Ficha de dados. Equivalente. Substituição. Folha de especificações. Principais características
G30N60C3D - IGBT. Ficha de dados. Equivalente. Substituição. Folha de especificações. Principais características
Número da peça: G30N60C3D
Polaridade do transistor: Canal N
ESPECIFICAÇÕES MÁXIMAS
Dissipação total do dispositivo (Pc): 208W
Tensão do coletor-emissor (Vce): 600V
Tensão de saturação do coletor-emissor (Vce sat): 1.8V
Tensão da porta do emissor (Veg): 20V
Corrente máxima de coletor DC (Ic): 63A
Temperatura máxima de operação (Tj), ° C: 150
Tempo de levantamento: 40
Capacitância do coletor (Cc), pF:
Embalagem / Caixa: TO247
Localização de substituição G30N60C3D - IGBT
O objetivo das políticas de segurança de computador é fornecer a todos os funcionários da empresa, bem como aos usuários que acessam seus ativos de tecnologia e informações, os requisitos e as diretrizes de ação necessárias para protegê-los. Essas polític
Todos sabemos que o comércio eletrônico é um setor em crescimento na economia espanhola. A facilidade de aquisição de todos os tipos de produtos pela rede ou por dispositivos móveis está aumentando o número de vendas. E a ampla oferta permite que cada vez
Nada contido nesta política de devolução afetará seus direitos legais, aos quais é adicionado o direito de rescisão.
G30N60C3D - IGBT. Ficha de dados. Equivalente. Substituição. Folha de especificações. Principais características
Número da peça: G30N60C3D
Polaridade do transistor: Canal N
ESPECIFICAÇÕES MÁXIMAS
Dissipação total do dispositivo (Pc): 208W
Tensão do coletor-emissor (Vce): 600V
Tensão de saturação do coletor-emissor (Vce sat): 1.8V
Tensão da porta do emissor (Veg): 20V
Corrente máxima de coletor DC (Ic): 63A
Temperatura máxima de operação (Tj), ° C: 150
Tempo de levantamento: 40
Capacitância do coletor (Cc), pF:
Embalagem / Caixa: TO247
Localização de substituição G30N60C3D - IGBT