G30N60C3D - IGBT. Ficha de dados. Equivalente. Substituição. Folha de especificações. Principais características

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G30N60C3D - IGBT. Ficha de dados. Equivalente. Substituição. Folha de especificações. Principais características


Número da peça: G30N60C3D

Polaridade do transistor: Canal N
ESPECIFICAÇÕES MÁXIMAS

Dissipação total do dispositivo (Pc): 208W

Tensão do coletor-emissor (Vce): 600V

Tensão de saturação do coletor-emissor (Vce sat): 1.8V

Tensão da porta do emissor (Veg): 20V

Corrente máxima de coletor DC (Ic): 63A

Temperatura máxima de operação (Tj), ° C: 150

Tempo de levantamento: 40

Capacitância do coletor (Cc), pF:

Embalagem / Caixa: TO247


Localização de substituição G30N60C3D - IGBT

Quantidade

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G30N60C3D - IGBT. Ficha de dados. Equivalente. Substituição. Folha de especificações. Principais características


Número da peça: G30N60C3D

Polaridade do transistor: Canal N
ESPECIFICAÇÕES MÁXIMAS

Dissipação total do dispositivo (Pc): 208W

Tensão do coletor-emissor (Vce): 600V

Tensão de saturação do coletor-emissor (Vce sat): 1.8V

Tensão da porta do emissor (Veg): 20V

Corrente máxima de coletor DC (Ic): 63A

Temperatura máxima de operação (Tj), ° C: 150

Tempo de levantamento: 40

Capacitância do coletor (Cc), pF:

Embalagem / Caixa: TO247


Localização de substituição G30N60C3D - IGBT

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G30N60C3D
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