G30N60C3D - IGBT. Scheda dati. Equivalente. Sostituzione. Scheda tecnica. Caratteristiche principali
G30N60C3D - IGBT. Scheda dati. Equivalente. Sostituzione. Scheda tecnica. Caratteristiche principali
Numero parte: G30N60C3D
Polarità del transistor: canale N
SPECIFICHE MASSIME
Dissipazione totale dispositivo (Pc): 208W
Tensione collettore-emettitore (Vce): 600V
Tensione di saturazione collettore-emettitore (Vce sat): 1.8V
Tensione emettitore-gate (Veg): 20V
Corrente massima del collettore CC (Ic): 63A
Temperatura massima di esercizio (Tj), °C: 150
Tempo di sollevamento: 40
Capacità del collettore (Cc), pF:
Confezione/custodia: TO247
Trova sostituzione G30N60C3D - IGBT
L'obiettivo delle politiche di sicurezza informatica è fornire a tutto il personale aziendale e agli utenti che accedono alle sue risorse tecnologiche e informative i requisiti e le linee guida per le azioni necessarie per proteggerli. Queste politiche so
Sappiamo tutti che il commercio elettronico è un settore in crescita nell'economia spagnola. La facilità di acquistare tutti i tipi di prodotti attraverso la rete o dispositivi mobili sta aumentando il numero di vendite. E l'ampia offerta consente a sempr
Nulla di quanto contenuto in questa politica di reso influirà sui tuoi diritti legali, a cui si aggiunge il diritto di recesso.
G30N60C3D - IGBT. Scheda dati. Equivalente. Sostituzione. Scheda tecnica. Caratteristiche principali
Numero parte: G30N60C3D
Polarità del transistor: canale N
SPECIFICHE MASSIME
Dissipazione totale dispositivo (Pc): 208W
Tensione collettore-emettitore (Vce): 600V
Tensione di saturazione collettore-emettitore (Vce sat): 1.8V
Tensione emettitore-gate (Veg): 20V
Corrente massima del collettore CC (Ic): 63A
Temperatura massima di esercizio (Tj), °C: 150
Tempo di sollevamento: 40
Capacità del collettore (Cc), pF:
Confezione/custodia: TO247
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