G30N60C3D - IGBT. Fiche de données. Équivalent. Remplacement. Fiche technique. Principales caractéristiques
G30N60C3D - IGBT. Fiche de données. Équivalent. Remplacement. Fiche technique. Principales caractéristiques
Numéro de pièce : G30N60C3D
Polarité du transistor : canal N
SPÉCIFICATIONS MAXIMALES
Dissipation totale de l'appareil (Pc): 208W
Tension collecteur-émetteur (Vce): 600V
Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce sat) : 1,8 V
Tension émetteur-grille (Veg): 20V
Courant collecteur DC maximum (Ic) : 63A
Température maximale de fonctionnement (Tj), °C : 150
Temps de levage : 40
Capacité du collecteur (Cc), pF :
Emballage / Caisse : TO247
Recherche de remplacement G30N60C3D - IGBT
L'objectif des politiques de sécurité informatique est de fournir à tout le personnel de l'entreprise ainsi qu'aux utilisateurs qui accèdent à ses actifs technologiques et informationnels, les exigences et les lignes directrices pour les mesures nécessair
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Numéro de pièce : G30N60C3D
Polarité du transistor : canal N
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Dissipation totale de l'appareil (Pc): 208W
Tension collecteur-émetteur (Vce): 600V
Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce sat) : 1,8 V
Tension émetteur-grille (Veg): 20V
Courant collecteur DC maximum (Ic) : 63A
Température maximale de fonctionnement (Tj), °C : 150
Temps de levage : 40
Capacité du collecteur (Cc), pF :
Emballage / Caisse : TO247
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