Numéro de pièce : G30N60C3D
Polarité du transistor : canal N
SPÉCIFICATIONS MAXIMALES
Dissipation totale de l'appareil (Pc): 208W
Tension collecteur-émetteur (Vce): 600V
Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce sat) : 1,8 V
Tension émetteur-grille (Veg): 20V
Courant collecteur DC maximum (Ic) : 63A
Température maximale de fonctionnement (Tj), °C : 150
Temps de levage : 40
Capacité du collecteur (Cc), pF :
Emballage / Caisse : TO247
Recherche de remplacement G30N60C3D - IGBT
Politique de sécurité (modifier avec le module Informations de sécurité et de confiance pour le client)
L'objectif des politiques de sécurité informatique est de fournir à tout le personnel de l'entreprise ainsi qu'aux utilisateurs qui accèdent à ses actifs technologiques et informationnels, les exigences et les lignes directrices pour les mesures nécessair
Politique d'expédition (modifier avec le module Informations de sécurité et de confiance pour le client)
Nous savons tous que le commerce électronique est un secteur en pleine croissance au sein de l’économie espagnole. La facilité d'acquérir toutes sortes de produits via le réseau ou les appareils mobiles augmente le nombre de ventes. Et l'offre large perme
Politique de retour (modifier avec le module Informations de sécurité et de confiance pour le client)
Rien dans cette politique de retour n'affectera vos droits légaux, auxquels s'ajoute le droit de rétractation.
Numéro de pièce : G30N60C3D
Polarité du transistor : canal N
SPÉCIFICATIONS MAXIMALES
Dissipation totale de l'appareil (Pc): 208W
Tension collecteur-émetteur (Vce): 600V
Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce sat) : 1,8 V
Tension émetteur-grille (Veg): 20V
Courant collecteur DC maximum (Ic) : 63A
Température maximale de fonctionnement (Tj), °C : 150
Temps de levage : 40
Capacité du collecteur (Cc), pF :
Emballage / Caisse : TO247
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