G30N60C3D - IGBT. Datasheet. Equivalent. Replacement. Spec Sheet. Main features
Part Number: G30N60C3D
Transistor Polarity: N-Channel
MAXIMUM SPECIFICATIONS
Total device dissipation (Pc): 208W
Collector-Emitter Voltage (Vce): 600V
Collector-Emitter Saturation Voltage (Vce sat): 1.8V
Emitter-gate voltage (Veg): 20V
Maximum DC collector current (Ic): 63A
Maximum operating temperature (Tj), ° C: 150
Lifting time: 40
Collector Capacitance (Cc), pF:
Packaging / Case: TO247
G30N60C3D Replacement Find - IGBT
Política de seguridad (editar con el módulo Información de seguridad y confianza para el cliente)
El objetivo de las políticas de seguridad informática es proporcionar a todo el personal de una empresa también como a los usuarios que acceden a sus activos de tecnología e información los requisitos y pautas de actuación necesarios para protegerlos. Asi
Política de envío (editar con el módulo Información de seguridad y confianza para el cliente)
Todos sabemos que el comercio electrónico es un sector en crecimiento dentro de la economía española. La facilidad para adquirir todo tipo de productos a través de la red o de dispositivos móviles está haciendo que se incrementen el número de ventas. Y la
Política de devolución (editar con el módulo Información de seguridad y confianza para el cliente)
Nada de cuanto se recoge en la presente política de devoluciones afectará a sus derechos legales, a los que se añade el derecho de desistimiento.
G30N60C3D - IGBT. Datasheet. Equivalent. Replacement. Spec Sheet. Main features
Part Number: G30N60C3D
Transistor Polarity: N-Channel
MAXIMUM SPECIFICATIONS
Total device dissipation (Pc): 208W
Collector-Emitter Voltage (Vce): 600V
Collector-Emitter Saturation Voltage (Vce sat): 1.8V
Emitter-gate voltage (Veg): 20V
Maximum DC collector current (Ic): 63A
Maximum operating temperature (Tj), ° C: 150
Lifting time: 40
Collector Capacitance (Cc), pF:
Packaging / Case: TO247
G30N60C3D Replacement Find - IGBT