G30N60C3D - IGBT. Datasheet. Equivalent. Replacement. Spec Sheet. Main features
G30N60C3D - IGBT. Datasheet. Equivalent. Replacement. Spec Sheet. Main features
Part Number: G30N60C3D
Transistor Polarity: N-Channel
MAXIMUM SPECIFICATIONS
Total device dissipation (Pc): 208W
Collector-Emitter Voltage (Vce): 600V
Collector-Emitter Saturation Voltage (Vce sat): 1.8V
Emitter-gate voltage (Veg): 20V
Maximum DC collector current (Ic): 63A
Maximum operating temperature (Tj), ° C: 150
Lifting time: 40
Collector Capacitance (Cc), pF:
Packaging / Case: TO247
G30N60C3D Replacement Find - IGBT
El objetivo de las políticas de seguridad informática es proporcionar a todo el personal de una empresa también como a los usuarios que acceden a sus activos de tecnología e información los requisitos y pautas de actuación necesarios para protegerlos. Asi
Todos sabemos que el comercio electrónico es un sector en crecimiento dentro de la economía española. La facilidad para adquirir todo tipo de productos a través de la red o de dispositivos móviles está haciendo que se incrementen el número de ventas. Y la
Nada de cuanto se recoge en la presente política de devoluciones afectará a sus derechos legales, a los que se añade el derecho de desistimiento.
G30N60C3D - IGBT. Datasheet. Equivalent. Replacement. Spec Sheet. Main features
Part Number: G30N60C3D
Transistor Polarity: N-Channel
MAXIMUM SPECIFICATIONS
Total device dissipation (Pc): 208W
Collector-Emitter Voltage (Vce): 600V
Collector-Emitter Saturation Voltage (Vce sat): 1.8V
Emitter-gate voltage (Veg): 20V
Maximum DC collector current (Ic): 63A
Maximum operating temperature (Tj), ° C: 150
Lifting time: 40
Collector Capacitance (Cc), pF:
Packaging / Case: TO247
G30N60C3D Replacement Find - IGBT