G30N60C3D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
G30N60C3D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: G30N60C3D
Polaridad de transistor: N-Channel
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 208W
Tensión colector-emisor (Vce): 600V
Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.8V
Tensión emisor-compuerta (Veg): 20V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 63A
Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150
Tiempo de elevación: 40
Capacitancia de salida (Cc), pF:
Empaquetado / Estuche: TO247
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G30N60C3D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: G30N60C3D
Polaridad de transistor: N-Channel
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 208W
Tensión colector-emisor (Vce): 600V
Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.8V
Tensión emisor-compuerta (Veg): 20V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 63A
Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150
Tiempo de elevación: 40
Capacitancia de salida (Cc), pF:
Empaquetado / Estuche: TO247