L' IRFD120PBF est un MOSFET de puissance à canal N 100V
2,42 €
TTC
Présentation du produit
L'IRFD120PBF est un MOSFET de puissance à canal N 100 V, le MOSFET de puissance HEXFET® de 3e génération offre au concepteur la meilleure combinaison de commutation rapide, de conception de dispositif robuste et de faible résistance. L'emballage est un style de boîte insérable à la machine qui peut être empilé en plusieurs combinaisons sur des centres de broche standard de 0,1 pouce. Le double drain sert de lien thermique avec la surface de montage pour des niveaux de dissipation de puissance jusqu'à 1 W.
Classement dynamique dV / dt
Avalanche répétitive classée
Température de fonctionnement de 175°C
Facile à mettre en parallèle
Exigence de manipulation simple
Pour l'insertion automatique
Extrémité empilable
Applications
Politique de sécurité (modifier avec le module Informations de sécurité et de confiance pour le client)
L'objectif des politiques de sécurité informatique est de fournir à tout le personnel de l'entreprise ainsi qu'aux utilisateurs qui accèdent à ses actifs technologiques et informationnels, les exigences et les lignes directrices pour les mesures nécessair
Politique d'expédition (modifier avec le module Informations de sécurité et de confiance pour le client)
Nous savons tous que le commerce électronique est un secteur en pleine croissance au sein de l’économie espagnole. La facilité d'acquérir toutes sortes de produits via le réseau ou les appareils mobiles augmente le nombre de ventes. Et l'offre large perme
Politique de retour (modifier avec le module Informations de sécurité et de confiance pour le client)
Rien dans cette politique de retour n'affectera vos droits légaux, auxquels s'ajoute le droit de rétractation.
L'IRFD120PBF est un MOSFET de puissance à canal N 100V
Présentation du produit
L'IRFD120PBF est un MOSFET de puissance à canal N 100 V, le MOSFET de puissance HEXFET® de 3e génération offre au concepteur la meilleure combinaison de commutation rapide, de conception de dispositif robuste et de faible résistance. L'emballage est un style de boîte insérable à la machine qui peut être empilé en plusieurs combinaisons sur des centres de broche standard de 0,1 pouce. Le double drain sert de lien thermique avec la surface de montage pour des niveaux de dissipation de puissance jusqu'à 1 W.
Classement dynamique dV / dt
Avalanche répétitive classée
Température de fonctionnement de 175°C
Facile à mettre en parallèle
Exigence de manipulation simple
Pour l'insertion automatique
Extrémité empilable
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Gestion de l'alimentation
IRFD120PBF
8 Produits
Présentation du produit
L'IRFD120PBF est un MOSFET de puissance à canal N 100 V, le MOSFET de puissance HEXFET® de 3e génération offre au concepteur la meilleure combinaison de commutation rapide, de conception de dispositif robuste et de faible résistance. L'emballage est un style de boîte insérable à la machine qui peut être empilé en plusieurs combinaisons sur des centres de broche standard de 0,1 pouce. Le double drain sert de lien thermique avec la surface de montage pour des niveaux de dissipation de puissance jusqu'à 1 W.
Classement dynamique dV / dt
Avalanche répétitive classée
Température de fonctionnement de 175°C
Facile à mettre en parallèle
Exigence de manipulation simple
Pour l'insertion automatique
Extrémité empilable
Applications