Le FR120N est un MOSFET de puissance à canal N HEXFET® de cinquième génération
7,26 €
TTC
Présentation du produit
Le FR120N est un MOSFET de puissance à canal N HEXFET® de cinquième génération qui utilise des techniques de traitement avancées pour obtenir une résistance ON extrêmement faible par zone de silicium. Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception robuste de l'appareil, fournit un appareil extrêmement efficace pour une utilisation dans une grande variété d'applications. Le boîtier est conçu pour un montage en surface à l'aide de techniques en phase vapeur, infrarouge ou à ondes de soudure. Le niveau de dissipation de puissance de 1,5 W est possible dans une application de montage en surface typique.
Politique de sécurité (modifier avec le module Informations de sécurité et de confiance pour le client)
L'objectif des politiques de sécurité informatique est de fournir à tout le personnel de l'entreprise ainsi qu'aux utilisateurs qui accèdent à ses actifs technologiques et informationnels, les exigences et les lignes directrices pour les mesures nécessair
Politique d'expédition (modifier avec le module Informations de sécurité et de confiance pour le client)
Nous savons tous que le commerce électronique est un secteur en pleine croissance au sein de l’économie espagnole. La facilité d'acquérir toutes sortes de produits via le réseau ou les appareils mobiles augmente le nombre de ventes. Et l'offre large perme
Politique de retour (modifier avec le module Informations de sécurité et de confiance pour le client)
Rien dans cette politique de retour n'affectera vos droits légaux, auxquels s'ajoute le droit de rétractation.
Présentation du produit
Le FR120N est un MOSFET de puissance à canal N HEXFET® de cinquième génération qui utilise des techniques de traitement avancées pour obtenir une résistance ON extrêmement faible par zone de silicium. Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception robuste de l'appareil, fournit un appareil extrêmement efficace pour une utilisation dans une grande variété d'applications. Le boîtier est conçu pour un montage en surface à l'aide de techniques en phase vapeur, infrarouge ou à ondes de soudure. Le niveau de dissipation de puissance de 1,5 W est possible dans une application de montage en surface typique.
Technologie de processus avancée
Indice d'avalanche complet
Faible résistance au drain statique vers la source ON
Estimation dynamique dV / dt
Applications
Gestion de l'alimentation
Mises en garde
La demande du marché pour ce produit a prolongé les délais de fabrication, de sorte que les dates de livraison peuvent fluctuer
FR120N
198 Produits
Présentation du produit
Le FR120N est un MOSFET de puissance à canal N HEXFET® de cinquième génération qui utilise des techniques de traitement avancées pour obtenir une résistance ON extrêmement faible par zone de silicium. Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception robuste de l'appareil, fournit un appareil extrêmement efficace pour une utilisation dans une grande variété d'applications. Le boîtier est conçu pour un montage en surface à l'aide de techniques en phase vapeur, infrarouge ou à ondes de soudure. Le niveau de dissipation de puissance de 1,5 W est possible dans une application de montage en surface typique.