G30N60C3D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

24,20 €
Impuestos incluidos

G30N60C3D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: G30N60C3D

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 208W

Tensión colector-emisor (Vce): 600V

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.8V

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 63A

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 40

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: TO247

Búsqueda de reemplazo de G30N60C3D - IGBT

Cantidad

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G30N60C3D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: G30N60C3D

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 208W

Tensión colector-emisor (Vce): 600V

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.8V

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 63A

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 40

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: TO247

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G30N60C3D
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