El FR120N es un MOSFET de potencia de canal N de quinta generación
7,26 €
Impuestos incluidos
Resumen del producto
El FR120N es un MOSFET de potencia de canal N de quinta generación HEXFET® que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de ENCENDIDO extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona un dispositivo extremadamente eficiente para usar en una amplia variedad de aplicaciones. El paquete está diseñado para montaje en superficie utilizando técnicas de fase de vapor, infrarrojos u ondas de soldadura. El nivel de disipación de potencia de 1.5W es posible en una aplicación típica de montaje en superficie.
Tecnología de proceso avanzada
Calificación de avalancha completa
Baja resistencia estática de drenaje a la fuente ON
Política de seguridad (editar con el módulo Información de seguridad y confianza para el cliente)
El objetivo de las políticas de seguridad informática es proporcionar a todo el personal de una empresa también como a los usuarios que acceden a sus activos de tecnología e información los requisitos y pautas de actuación necesarios para protegerlos. Asi
Política de envío (editar con el módulo Información de seguridad y confianza para el cliente)
Todos sabemos que el comercio electrónico es un sector en crecimiento dentro de la economía española. La facilidad para adquirir todo tipo de productos a través de la red o de dispositivos móviles está haciendo que se incrementen el número de ventas. Y la
Política de devolución (editar con el módulo Información de seguridad y confianza para el cliente)
Nada de cuanto se recoge en la presente política de devoluciones afectará a sus derechos legales, a los que se añade el derecho de desistimiento.
Resumen del producto
El FR120N es un MOSFET de potencia de canal N de quinta generación HEXFET® que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de ENCENDIDO extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona un dispositivo extremadamente eficiente para usar en una amplia variedad de aplicaciones. El paquete está diseñado para montaje en superficie utilizando técnicas de fase de vapor, infrarrojos u ondas de soldadura. El nivel de disipación de potencia de 1.5W es posible en una aplicación típica de montaje en superficie.
Tecnología de proceso avanzada
Calificación de avalancha completa
Baja resistencia estática de drenaje a la fuente ON
Calificación dinámica dV / dt
Aplicaciones
Administración de Potencia
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha extendido los plazos de fabricación, por lo que las fechas de entrega pueden fluctuar
FR120N
198 Artículos
Resumen del producto
El FR120N es un MOSFET de potencia de canal N de quinta generación HEXFET® que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de ENCENDIDO extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona un dispositivo extremadamente eficiente para usar en una amplia variedad de aplicaciones. El paquete está diseñado para montaje en superficie utilizando técnicas de fase de vapor, infrarrojos u ondas de soldadura. El nivel de disipación de potencia de 1.5W es posible en una aplicación típica de montaje en superficie.
Tecnología de proceso avanzada
Calificación de avalancha completa
Baja resistencia estática de drenaje a la fuente ON